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INN650D190A 是一款先進的650V額定電壓硅基氮化鎵（GaN-on-Si）增強型功率晶體管，采用業界標準的緊湊型DFN 8mm x 8mm 表面貼裝封裝。作為一款增強型器件，它具有常閉型（normally-off）特性，簡化了驅動設計并提升了系統安全性。

這款GaN晶體管的核心優勢在于其卓越的開關性能。它能夠支持極高的開關頻率，遠超傳統硅基MOSFET，這使得設計師可以采用更小的電感和電容，從而顯著提升功率密度并縮小產品體積。得益于GaN技術的物理特性，該器件具有零反向恢復電荷（Qrr=0），大幅降低了開關損耗，尤其在硬開關應用中效率優勢明顯。此外，其低柵極電荷（Qg）和低輸出電荷（Qoss）特性進一步減少了驅動損耗和開關時間，有助于實現更高的轉換效率。

INN650D190A 經過嚴格的JEDEC標準工業應用資格認證，并內置ESD保護，確保了在各種應用環境下的可靠性。同時，該產品完全符合RoHS、無鉛（Pb-free）及REACH等環保法規要求。

憑借這些優異特性，INN650D190A 廣泛適用于需要高效率、高功率密度的電源轉換場景，包括DCM/BCM模式的功率因數校正（PFC）、AHB/LLC/QR反激/ACF等拓撲的DC-DC轉換器、高效LED驅動、快速充電器、筆記本電腦及一體機（AIO）適配器，以及臺式電腦ATX電源、電視電源和電動工具電源等。

INN650D190A_Datasheet_V1.0.pdf