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GaN器件焊接的關(guān)鍵 英諾賽科推薦的回流焊曲線

作者:氮化鎵代理商   發(fā)布時間:2025-07-18 14:12:11   點擊量:

GaN功率器件以其優(yōu)越的性能,在眾多高科技領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用,但其焊接工藝對精確度要求極高。英諾賽科官方推薦的回流焊曲線,旨在平衡器件的可靠性與焊接的效率。GaN器件對溫度變化較為敏感,不當(dāng)?shù)暮附硬僮鳎邕^高的溫度或過長的保溫時間,都可能對其性能造成不利影響。

 

GaN氮化鎵.jpg

英諾賽科推薦的回流焊曲線通常包含以下幾個核心環(huán)節(jié):首先是預(yù)熱階段,在此階段會緩慢升溫至150-180°C,升溫速率控制在1-2°C/秒,目的是使PCB和器件的溫度均勻化,并激活助焊劑。

 

緊接著是保溫區(qū)域,溫度會維持在180-220°C之間,以促進(jìn)焊料的熔化和流動,并進(jìn)一步均衡器件溫度,但需要注意避免長時間暴露于高溫環(huán)境。關(guān)鍵的回流區(qū)溫度需要超過焊料的峰值熔化溫度,例如235-250°C,并在此區(qū)域停留一小段時間,如60-90秒,以形成高質(zhì)量的焊點;

 

英諾賽科會根據(jù)具體的焊料和器件封裝提供精確的參數(shù)指導(dǎo)。最后是冷卻階段,需要快速冷卻以固化焊料,但冷卻速度的控制也十分重要,以防止焊點產(chǎn)生裂紋。為確保GaN器件的焊接質(zhì)量和可靠性,遵循英諾賽科提供的具體產(chǎn)品手冊和焊接指南至關(guān)重要。


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